外媒传出，三星电子为抢攻高频宽记忆体（HBM）市场，打算增设产线，将DRAM产量提高18%。
科技媒体SammyGuru引述韩媒Hankyung报导，三星电子打算增加平泽P4厂的DRAM产量，将建造新产线，以便在2027年第1季时，每月额外生产10万-12万片的1c制程DRAM晶圆。
1c制程DRAM是生产HBM4的关键零组件，三星堆叠12个DRAM晶片，打造出一个HBM4。
目前三星工厂每月能生产约66万片DRAM晶圆，增设新产线后，该公司的DRAM总产量将在一年内提高近18%，能够满足辉达和超微（AMD）等，对HBM4的高涨需求。
韩国经济日报的说法相近，指出三星有意大举扩张下一代DRAM产线，研议在平泽P4厂增设产线，最多每月能生产12万片DRAM晶圆，以巩固在HBM的领先地位。
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