星期二, 31 3 月

三星2奈米制程良率传提高到60% 比去年下半年翻升两倍多

南韩媒体报导,三星自家LSI部门与中国大陆挖矿业者等企业,都向三星电子的2奈米环绕式闸极(GAA)技术下单,已帮助三星提高先进微影技术良率至60%,高于1月据传的50%,更比去年下半年的20%,提高两倍多。

科技网站Wccf tech引述韩国经济日报的报导指出,三星2奈米GAA制程的良率在去年下半年只有20%,三星首款2奈米GAA晶片Exynos 2600的平均良率也仍低于50%。但随著三星成功从中国大陆的嘉楠科技和比特微电子(MicroBT)等比特币矿机制造商取得晶片订单,强化提升良率动能。

不过,三星从未公布上一代或这一代微影技术的良率,因此最新良率数据也是透过各种估算来做判断。

三星的新一代制程仍大幅落后台积电,但可望仰赖晶片订单激增,缩小差距。三星最大的胜利之一是和特斯拉达成了165亿美元的交易,为其量产AI6自驾晶片。三星据传已设定了一个野心勃勃的目标,今年的2奈米GAA订单要提升130%。

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注