速度提升10,000倍！三星、辉达联手研发铁电 NAND

首尔经济日报援引未具名业内人士消息报导，三星电子正与辉达（NVIDIA）合作，加速开发下一代NAND快闪记忆体晶片。

报导指出，由三星半导体研究院、辉达和乔治亚理工学院合组的联合研究团队，已成功开发出一种名为「物理资讯神经算子」的模型，能以比现有模型快逾10,000倍的速度分析铁电基NAND元件性能。相关研究成果已对外公布。

基于上述成果，三星目前正与辉达合作推进铁电NAND快闪记忆体的开发与商业化应用。