AI浪潮全面引爆记忆体市场，带动缺货与涨价潮急速蔓延。大陆记忆体晶片产业正处于由「国产替代」、「技术突围」转变的关键阶段，在AI算力需求爆发驱动下，行业整体进入新一轮上行周期。
同时，随著半导体涨价潮从记忆体向全行业蔓延，大陆功率晶片和类比晶片企业也正迎来业绩回暖与价值重估的双重机遇。
全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三巨头主导，NAND Flash市场则由三星、SK海力士、铠侠、美光主导。大陆国产企业正透过技术突破与产能扩张，逐步打破这一格局。
DRAM领域方面，长鑫存储（CXMT）是大陆国产龙头，2025年其DRAM出货量增长超50%，全球市占预计突破5%，已实现DDR4/DDR5双线布局，并完成LPDDR5模组在浪潮、新华三等伺服器上的适配。
NAND Flash领域方面，长江存储（YMTC）全球市占率从2023年的5%跃升至2025年的10%，预计今年底将突破12%，在消费级SSD市场已具备与国际巨头竞争的能力。其自主研发的Xtacking技术显著提升了产品性能。
兆易创新是大陆记忆体晶片设计龙头，NOR Flash全球市占率20.4%（全球第二），业务覆盖NOR Flash、DRAM及MCU，应用于消费电子、工业控制；江波龙是记忆体模组领军企业，企业级SSD市占率12%，深度绑定长江存储，产品适配AI伺服器与资料中心需求。
摩根士丹利预测，DDR4的供应短缺将延续至2027年，也就是说，未来两年，DRAM都会处于「供不应求、价格上涨」的状态，超级周期至少持续两年以上。
东吴证券指出，大陆第一、全球第四的DRAM厂商长鑫科技重点在研的CBA，是面向下一代3D DRAM的关键创新架构技术，将释放后续持续扩产动能，透过这一另辟蹊径的方式缩小与三星和海力士的代际差，保证扩产量级，产业链公司将充分受益。
此外，类比、功率晶片企业过去两年受至于价格战与库存压力，导致估值长期承压。
当前涨价周期中，龙头公司凭借技术实力与客户资源率先传导成本，业绩确定性提升将推动估值修复。
大陆功率半导体龙头士兰微日前公布业绩预告显示，子公司士兰集成五、六吋晶片生产线、士兰集昕八吋晶片生产线、重要参股企业士兰集科12吋晶片生产线均实现满负荷生产，且三家公司的盈利水平均有所提升。这一表现背后，正是功率半导体市场需求回暖与产能紧张带来的价格提升。