南华早报报导，华为公司三年前申请的一项专利，不需极紫外光（EUV）微影设备，就可达到相当于2奈米制程的技术水准，使外界对该厂在先进晶片领域可能取得突破的揣测升温，也意味华为可能找到因应美国制裁的破口。
华为正在申请一项透过深紫外光（DUV）设备支援「金属间距小于21奈米」的金属整合技术，该技术是制造2奈米等级晶片的必要条件，也提供了一条利用较旧的DUV技术支援2奈米制程的技术路径，绕过美国对中国大陆取得艾司摩尔（ASML）最先进EUV设备的封锁。
华为目前使用类似自对准四重图案化（SAQP），利用高阶的间隙壁图案化（spacer-defined patterning）的方案，辅以双重硬遮罩材料，以打造两组交织的金属线，降低对超紧密微影叠对的依赖。
一名中国资深业界人士表示，14奈米逻辑晶片若能结合先进记忆体与新型架构，效能可望媲美辉达（Nvidia）的4奈米晶片。这项专利也因为可能突破关键技术门槛，创造出追上台积电（TSMC）2奈米制程的可能性，引起业界关注。
中国国家知识产权局年初公布的专利文件显示，华为最初于2022年6月提出这项专利申请，目前仍待审查，也没有证据显示该技术已落地。此外，仍有待观察的是，这种步骤远多于EUV微影技术的方法是否可行，并能在量产中达到具商业可行性的良率。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});